Egipto
Se han obtenido las constantes ópticas n y k de una lámina delgada de Bi para espesores comprendidos entre 50—1 SO nm en un rango espectral de 0.4—40 gm. Asimismo, se han calculado la concentración de portadores de carga libre nc, el tiempo de relajación T, la conductividad estática O, la velocidad del electrón para el nivel de Fermi VF V la energía de la banda prohibida AEg. Con estos datos Ios valores del recorrido medio Q de los electrones de la banda de conducci6n y el parámetro de reflectancia p se pueden determinar para la lámina de Bi a partir de la correlación entre la resistividad
The optical constants n and k of thin Bi films in the thickness range from 50—150 nm were determined in a wide spectral range of 0.4—40 gm. The concentration of the free charge carrier nc, the relaxation time T, the static conductivity O, the electron velocity at the Fermi surface vF and the energy gap width AEg were calculated. The values of the mean free path of conduction electrons and the specular parameter p could be determined from the correlation between electrical resistivity and optical data of thin Bi films.
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