Crecimiento y propiedades ópticas de láminas delgadas de ZnIn2 Se4

• M.M. El-Nahass ^[1] ; A. Qusti ^[2] ; B. Dakhel ^[2] ; H.S. Soliman ^[1]
  1. [1] Ain Shams University

     Ain Shams University

     Egipto

     
  2. [2] King Abdulaziz University

     King Abdulaziz University

     Arabia Saudí

     
• Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 24, Nº. 2, 1991, págs. 117-126
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Growth and optical properties of ZnlnzSe4 films
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• Resumen
  • español

    Las láminas delgadas de Znln2Se4 fueron depositadas en substratos de cuarzo a 297 K por evaporación térmica convencional. Las láminas eran amorfas al depositarlas. Recocidos en vacío a 623 K durante 3 horas producen la cristalización de las láminas con una orientaci6n preferente (112) correspondiendo a una estructura de tipo calcopirita. Las láminas depositadas en substratos calentados a 573 K también fueron cristalinas.

    Las constantes ópticas fueron calculadas a partir de las medidas de transmitancia y reflectancia a incidencia normal en el intervalo 400—2000 nm. El análisis de los datos de una anchura de la banda prohibida para transiciones directas de 2.2 eV y 2.06 eV para las láminas amorfas y cristalizadas, respectivamente. La curva de dispersión presenta un pico asociado a la banda prohibida. Se dedujeron también una anchura de banda de 1.8 eV para transiciones indirectas para las láminas cristalizadas y de 1.75 eV para transiciones directas prohibidas para las láminas amorfas. En las láminas cristalinas depositadas en substratos calentados se dedujo una anchura de banda de 2.065 eV para transiciones directas permitidas y de 1.69 eV para transiciones indirectas.

  • English

    Thin films of Znln2Se4 were deposited on quartz substrates at 297 K by the conventional' thermal evaporation technique. The as-deposited films were amorphous. On annealing at 623 K under Vacuum for 3 hours the films crystallized with preferred (112) orientation corresponding to the chalcopyrite-type structure. Films, deposited on quartz substrate heated to 573K were also crystal line.

    The optical constants were computed from the measured transmittance and reflectance at normal incidence of light in the wavelength range 400 nm — 2000 nm. The analysis of the data gave a direct gap of 2.2 eV and 2.06 eV for the amorphous and crystallized films, respectively. The dispersion curve exhibited a peak associating the gap. An indirect gap of 1.8 eV for the crystallized films and a direct forbidden gap of 1.75 eV for the amorphous films were also deduced, A direct allowed transition with a gap of 2.065 eV and an indirect transition with a gap of 1.69 eV were deduced for the crystalline films, deposited on heated-substrate.