R O H M i n i c i a l a producción en masa de los HEMT de GaN de 650 V con el rendimiento líder de su categoría

• Autores: Rohm Semiconductor
• Localización: Revista española de electrónica, ISSN 0482-6396, Nº 823, 2023, págs. 18-18
• Idioma: español
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