High-power AlGaN/GaN HFET with a lower on-state resistance and higher switching time for an inverter circuit

• Autores: S. Yoshida
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 151, Nº 3, 2004, págs. 207-210
• Idioma: inglés
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