3.6 m ohms cm^2, 1726 V 4H-SiC normally-off trenched-and-implanted vertical JFETs and circuit applications

• Autores: J. H. Zhao
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 151, Nº 3, 2004, págs. 231-237
• Idioma: inglés
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