Elementu pasiboen eragina frekuentzia altuko bihurgailuetan

Asier Arruti Romero ^[1] ; Jon Anzola García ^[1] ; Iosu Aizpuru Larrañaga ^[1] ; Mikel Mazuela Larrañaga ^[1]
1. [1] Universidad de Mondragón/Mondragon Unibertsitatea
  
  Universidad de Mondragón/Mondragon Unibertsitatea
  
  Mondragón, España
Localización: Ingeniaritza eta arkitektura: IV. Ikergazte Nazioarteko Ikerteta Euskaraz. 2021eko ekainaren 9, 10 eta . Gasteiz, Euskal Herria. / Olatz Arbelaitz Gallego (ed. lit.), Ainhoa Latatu (ed. lit.), Miren Josu Omaetxebarria Ibarra (ed. lit.), Blanca Urgell Lázaro (ed. lit.), 2021, ISBN 978-84-8438-788-6, págs. 33-40
Idioma: euskera
Enlaces
- Texto completo 1 2
Resumen
- Azkeneko urteetan hainbat aurrerapen nabarmen egin dira potentzia elektronikaren eremuan, adibidez SiC-en eta GaN-en oinarritutako transistoreak. Halere, teknologia berri hauetan oinarritutako potentzia bihurgailuak ezin ditugu beren mugetaraino eraman, frekuentzia altuetan elementu pasiboak sistemaren botila-lepoa bihurtzen direlako. Lan honetan, elementu pasiboek frekuentzia altuko bihurgailuetan duten eragina aztertzen dugu, bereziki elementu magnetikoak. Diseinu klasikoetan kontsideratzen ez diren hainbat efektu azaltzen dira, eta frekuentzia alturako egokitua dagoen diseinu estrategia baten beharra adierazten da. Aldi berean, diseinurako estrategia mota ezberdinak era laburrean azaldu ditugu. Azkenik, bihurgailuen helburu anitzeko diseinu metodologien garrantzia azaldu dugu.