Sintesis, caracterizacion y propiedades electricas de poli(p-fenilsulfonil-anilina)

• FERNANDO R. DÍAZ ^[1] ; CHRISTIAN O. SÁNCHEZ ^[1] ; M. ANGÉLICA del VALLE ^[1] ; J. CHRISTIAN BERNÈDE ^[2] ; Y. TREGOÜET ^[2]
  1. [1] P. Universidad Católica de Chile
  2. [2] Faculté des Sciences et des Techniques de Nantes
• Localización: Journal of the Chilean Chemical Society (Boletín de la Sociedad Chilena de Química), ISSN-e 0717-6309, ISSN 0366-1644, Vol. 45, Nº. 2, 2000, págs. 181-189
• Idioma: español
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    Se sintetizó poli(p-fenilsulfonil-anilina) por polimerización química, a partir del monómero respectivo, usando como agentes oxidantes perclorato cúprico en CH3CN o dicromato de potasio en HCl acuoso. Los productos se caracterizaron por análisis elemental, espectroscopías FT-IR, RMN-1H y XPS, además de microscopía electrónica de barrido (SEM) y medición de conductividad. Los espectros FT-IR de los productos sintetizados en diferentes medios resultaron equivalentes. Sin embargo, el análisis por XPS mostró que el producto sintetizado usando dicromato de potasio en HCl acuoso posee grupos sulfona, sulfoxi-hidroxil y su radical equivalente. Además, presenta un 1% de cloro covalente, que se introduciría en la estructura por reacciones secundarias de adición a los anillos. Los polímeros tienen conductividad del orden de la semiconducción.

  • English

    Poly(p-phenylsulfonyl-aniline) have been synthesized by chemical polymerization from the respective monomer using copper perchlorate in CH3CN or potassium dichromate in HCl aqueous media as oxidizing agents. The products were characterized by elemental analysis, FT-IR, 1H-RMN, XPS, SEM and conductivity measurements. The FT-IR spectra of products synthesized in different media were similar. The XPS analysis shows that the polymer synthesized with potassium dichromate have groups sulfone, sulfoxy-hydroxyl and its equivalent radical. Moreover, it have 1% of covalent chlorine, which probably is incorporate by secondary adition reaction. The polymers shows electrical conductivity in the range of semiconduction.