Luis Femando Castro, Pedro Prieto, María E. Gómez
Se reportan resultados experimentales de mediciones de fotoconductividad. en nitruros de Silicio Amorfo Hidrogenado, preparados por descomposición en un plasma gaseoso de una mezcla de S1H4/N2. para diferentes composiciones y temperaturas del sustrato. De estas mediciones se obtiene una información cuantitativa acerca de la concentración de estados en el gap, como función de los parámetros de producción
Some experimental results of photoconductivity measurement in a -$iNx;H prepared by decomposition in a gaseous plasma of a mixture of SÍH4/N2 are reported Tor different compositions and temperatures of the substrate.From these measurements a quantitative information about the states concentration in the gap is obtained, as a production parameters function.
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