Periodo de publicación recogido
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Silicon doping dependence of highly conductive n-type Al<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>N
J. Y. Lin, M. L. Nakarmi, K. Zhu, H.X. Jiang, K.H. Kim
Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 85, Nº. 20, 2004, págs. 4669-4671
AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN epilayers
M. Khizar, K. H. Kim, Z. Y. Fan, J. Y. Lin, M. L. Nakarmi, H. X. Jiang
Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 85, Nº. 20, 2004, págs. 4777-4779
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