Periodo de publicación recogido
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Formation of Ohmic contacts in AlGaN/GaN HEMT structures at 500 °C by Ohmic contact recess etching.
W.S. Lau, J.B.H. Tan, B.P. Singh
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 558-561
W.S. Lau, P. Yang, V. Ho, L.F. Toh, Y. Liu, S.Y. Siah, L. Chan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1641-1648
W.S. Lau, K.S. See, C.W. Eng, W.K. Aw, K.H. Jo, K.C. Tee, J.Y.M. Lee, E.K.B. Quek, H.S. Kim, S.T.H. Chan, L. Chan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 6, 2008, págs. 919-922
Effect of a trace of water vapor on Ohmic contact formation for AlGaN/GaN epitaxial wafers.
W.S. Lau, W.T. Wong, J.B.H. Tan, B.P. Singh
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 5, 2008, págs. 794-797
W.S. Lau, P. Yang, C.W. Eng, V. Ho, C.H. Loh, S.Y. Siah, D. Vigar, L. Chan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 497-503
W.S. Lau, P.W. Qian, T. Han, N.P. Sandler, S.T. Chen, S.E. Ang, C.H. Tung, T.T. Sheng
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 429-433
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