InstitucionesPeriodo de publicación recogido
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A Hydrodynamic Model for Covalent Semiconductors with Applications to GaN and SiC
Giuseppe Alì, Giovanni Mascali, Vittorio Romano
Acta applicandae mathematicae, ISSN 0167-8019, Vol. 122, Nº. 1, 2012 (Ejemplar dedicado a: Proceedings of the XVI WASCOM Conference (Brindisi 12-18 June 2012)), págs. 335-348
A hydrodynamical model for holes in silicon semiconductors: The case of parabolic warped bands
Giovanni Mascali, Vittorio Romano
Compel: International journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, ISSN 0332-1649, Vol. 31, Nº 2 (Special Issue: ARWtr conference Spain), 2012, págs. 552-582
Exact Maximum Entropy Closure of the Hydrodynamical Model for Si Semiconductors: the 8-Moment Case
Salvatore La Rosa, Giovanni Mascali, Vittorio Romano
Siam journal on applied mathematics, ISSN 0036-1399, Vol. 70, Nº 3, 2009, págs. 710-734
Minisymposium: Mathematicl Modeling of Charge Transport in Graphene and Low Dimensional Structure
Antonio La Magna, Giovanni Mascali, Vittorio Romano
Progress in industrial mathematics at ECMI 2016 / Peregrina Quintela Estevez (ed. lit.), Patricia Barral Rodiño (ed. lit.), Mª Dolores Gómez Pedreira (ed. lit.), Francisco Pena Brage (ed. lit.), Jerónimo Rodríguez García (ed. lit.), Pilar Salgado Rodríguez (ed. lit.), Miguel Ernesto Vázquez Méndez (ed. lit.), 2017, ISBN 978-3-319-63081-6, págs. 281-282
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