J. Juan Martín Mozo

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  • Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]; un enfoque según el método tight-binding: II. Antimoniuros y Fosfuros

    J. Juan Martín Mozo, Miguel E. Mora Ramos

    Nova scientia, ISSN-e 2007-0705, Vol. 2, Nº. 4, 2010, págs. 33-57

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  • "Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]: un enfoque según el método tight-binding: I. Arseniuros y Fosfuro de Galio"

    Miguel E. Mora Ramos, J. Juan Martín Mozo

    Nova scientia, ISSN-e 2007-0705, Vol. 2, Nº. 3, 2009, págs. 66-96

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