Periodo de publicación recogido
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The Maximum Operating Region in SiGe HBTs for RF Power Amplifiers
Y. Matsuda, A. Inoue, S. Nakatsuka, T. Ishikawa
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 5, 2004, pág. 714
H. Fujiyama, Y. Matsuda, K. Tashiro, K. Otomo
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 11, 2001, págs. 1667-1672
A 250 MHz Dual Port Cursor RAM Using Dynamic Data Alignment Architecture
H. Hamano, Y. Nakase, H. Kono, Y. Matsuda
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 11, 1998, pág. 1750
A 300 MHz Dual Port Palette RAM Using Port Swap Architecture
T. Tokuda, Y. Nakase, K. Mashiko, Y. Matsuda
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 9, 1998, pág. 1484
GTD Analysis for Evanescent Modal Excitation
H. Shirai, Y. Matsuda, R. Sato
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 1, 1997, págs. 190-192
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