Periodo de publicación recogido
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A. Hirose, M. Minami
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 12, 2001, págs. 1932-1938
One Possibility of Obtaining Bulk GaN: Halide VPE Growth at 1000^oC on GaAs(111) Substrates
F. Hasegawa, M. Minami, T. Suemasu
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 4, 2000, págs. 633-638
A 6.93-µm2 Full CMOS SRAM Cell Technology for 1.8-V High-Performance Cache Memory
M. Minami
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 4, 1997, págs. 590-596
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