S. Kamiyama

• Artículos de revistas (4)

• Artículos de revistas

  • Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AIGaN/GaN HEMT

    M. Iwaya, S. Kamiyama, M. Tsuda, H. Amano, I. Akasaki, Y. Hirose, A. Honshio, Takayuki Kawashima

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1064

    

  • Suppression of Charges in Al~2O~3 Gate Dielectric and Improvement of MOSFET Performance by Plasma Nitridation

    T. Iwamoto, T. Ogura, N. Ikarashi, T. Yamamoto, K. Manabe, K. Endo, S. Kamiyama

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 1, 2004, pág. 30

    

  • The Evolution of Nitride-Based Light-Emitting Devices

    I. Akasaki, S. Kamiyama, H. Amano

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 1, 2002, págs. 2-9

    

  • Theoretical Analysis of Optical Transverse-Mode Control on GaN-Based Laser Diodes

    T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, Takashi Sato, M. Iwaya, K. Isomura

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 4, 2000, págs. 573-578

    

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