H. Matsuzaki

• Artículos de revistas (3)

• Artículos de revistas

  • Novel Fabrication Technology for High Yield Sub-100-nm-Gate InP-Based HEMTs

    M. Tokumitsu, H. Matsuzaki, T. Maruyama, T. Enoki

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 949

    

  • W-Band Active Integrated Antenna Oscillator Based on Full-Wave Design Methodology and 0.1-thetam Gate InP-Based HEMTs

    K. Inafune, E. Sano, H. Matsuzaki

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 954

    

  • SCFL-Compatible 40-Gbit/s RTD/HEMT Selector Circuit

    K. Sano, K. Murata, H. Matsuzaki

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 10, 2000, págs. 1690-1692

    

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