Periodo de publicación recogido
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Strain Sensitivity of AIGaN/GaN HEMT Structures for Sensing Applications
O. Yilmazoglu, K. Mutamba, D. Pavlidis
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1037
Improvement of CO Sensitivity in GaN-Based Gas Sensors
S. M. Hubbard, E. Cho, D. Pavlidis, G. Y. Zhao
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1047
First Microwave Characteristics of InGaAlAs/GaAsSb/InP Double HBTs
P. Bove, H. Lahreche, R. Langer, X. Zhu, D. Pavlidis, G. Y. Zhao
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2010
A Novel Pt-AlGaN/GaN Heterostructure Schottky Diode Gas Sensor on Si
E. L. Piner, J. Schwank, S. Hubbard, G. Y. Zhao, W. Sutton, D. Pavlidis
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2027
GaN-Based Gunn Diodes: Their Frequency and Power Performance and Experimental Considerations
E. Piner, J. Redwing, E. Alekseev, D. Pavlidis, W. E. Sutton
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1462-1469
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