Periodo de publicación recogido
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Development of High-Frequency GaN HFETs for Millimeter-Wave Applications
M. Higashiwaki, T. Mimura, T. Matsui
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 91, Nº 7, 2008, págs. 984-988
High RF Performance of 50-nm-Gate Lattice-Matched InAlAs/InGaAs HEMTs
K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Matsui, A. Endoh, Y. Yamashita, M. Higashiwaki
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1328-1334
FDTD Analysis and Experiment of Fabry-Perot Cavities at 60 GHz
J. P. Daniel, H. Yuzawa, N. Hirose, T. Matsui, R. Sauleau, P. Coquet, D. Thouroude
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 7, 1999, págs. 1139-1147
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