Periodo de publicación recogido
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High Power GaN-HEMT for Wireless Base Station Applications
T. Kikkawa, K. Joshin
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 5, 2006, pág. 608
InGaP-Channel Field Effect Transistors with High Breakdown Voltage
K. Joshin, Y. Watanabe, H. Tanaka, M. Takikawa, N. Hara, Y. Nakasha, T. Kikkawa
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1294-1299
T. Miyashita, S. Ohara, K. Joshin, Y. Nakasha, T. Iwai
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 5, 1999, págs. 725-729
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