Periodo de publicación recogido
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Effect of DC/AC stress on the reliability of cell capacitor in DRAM
Gang-Jun Kim, Nam-Hyun Lee, Jongkyun Kim, Jungeun Seok, Yunsung Lee
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 179-182
Effect of OFF-state stress on reliability of nMOSFET in SWD circuits of DRAM
Jongkyun Kim, Namhyun Lee, Gang-Jun Kim, Young-Yun Lee, Jungeun Seok, Yunsung Lee
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 183-185
Yeohyeok Yun, Gang-Jun Kim, Ji-Hoon Seo, Donghee Son, Bongkoo Kang
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 191-195
Degradation of pMOSFETs due to hot electron induced punchthrough
Donghee Son, Gang-Jun Kim, Ji-Hoon Seo, Nam-Hyun Lee, YongHa Kang, Bongkoo Kang
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 59, 2016, págs. 13-17
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