Periodo de publicación recogido
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Improved reliability characteristics of Ge MOS devices by capping Hf or Zr on interfacial layer
Yan-Lin Li, Kuei-Shu Chang-Liao, Yu-Wei Chang, Tse-Jung Huang, Chen-Chien Li, Zhao-Chen Gu, Po-Yen Chen, Tzung-Yu Wu, Jiayi Huang, Fu-Chuan Chu, Shih-Han Yi
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 79, 2017, págs. 136-139
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