Periodo de publicación recogido
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Degradation mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs under 800 MeV Bi ions irradiation
Z.F. Lei, H.X. Guo, M.H. Tang, C. Zeng, Z.G. Zhang, H. Chen, Y.F. En, Y. Huang, Y. Q. Chen, C. Peng
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 312-316
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