Efectos de dispersión en transistores de efecto campo basados en compuestos III-V: estudio, caracterización y modelado

• Autores: Jose María Tirado Martín
• Directores de la Tesis: José Luis Sánchez de Rojas Aldavero (dir. tes.), José Ignacio Izpura Torres (codir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Castilla-La Mancha ( España ) en 2006
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando González Sanz (presid.), Jorge Hernando Garcia (secret.), Oscar Antón Molina (voc.), José Manuel García Tijero (voc.), Susana Fernandez de Avila (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Materiales compuestos
      • Propiedades de portadores electrónicos
      • Estados electrónicos
      • Semiconductores
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• Resumen

  • Los dispositivos basados en compuestos III-V, concretamente el gan, presentan una serie de deficiencias en su rendimiento, atribuidas a diferentes factores. El estudio de la superficie de los mismos es una pieza clave para el entendimiento de estas deficiencias, y es a través de esta tesis donde se intenta dar cierta luz a algunos problemas que aparecen en la misma. En este trabajo es analizada la caracterización eléctrica, en dc y baja frecuencia, de dispositivos de alta movilidad de electrones (hemt) de algan/gan, discutiendo los efectos observados. Se implementa un modelo físico bidimensional de dispositivos mesfet de gan y hemt de algan/gan, analizando y discutiendo la presencia de estados estáticos y dinámicos en las superficies de los dispositivos, realizando una comparación entre resultados teóricos y experimentales obtenidos a través de las pruebas de laboratorio