Quimisorción de átomos simples en superficies metálicas y de semiconductores

• Autores: Francisco J. García Vidal
• Directores de la Tesis: Fernando Flores Sintas (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1992
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José Luis de Segovia Trigo (presid.), Pedro De Andres (secret.), Jaime Fernández Rico (voc.), Carmina Monreal (voc.), Rodolfo Miranda Soriano (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
      • Superficies
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Biblos-e Archivo
• Resumen

  • EN ESTA MEMORIA HEMOS PRESENTADO UNA TEORIA DE ORBITALES MOLECULARES CREADA A PARTIR DE PRIMEROS PRINCIPIOS. Y LA HEMOS APLICADO AL ESTUDIO TEORICO DE DIVERSOS PROCESOS DE ADSORCION QUE OCURREN EN LAS SUPERFICIES DE METALES Y DE SEMICONDUCTORES. ENTRE LOS CASOS DE LA QUIMISORCION EN METALES HEMOS ANALIZADO LA ADSORCION DE H EN METALES SIMPLES Y EL PROCESO DE INTERACCION DE ATOMOS CON VARIADA ELECTRONEGATIVIDAD EN ALUMINIO (LI, CL Y SI) DENTRO DEL CAMPO DE LA QUIMISORCION EN SEMICONDUCTORES HEMOS ANALIZADO LA ADSORCION DE ATOMOS ELECTRONEGATIVOS EN AS GA(110) Y LA RECONSTRUCCION Y PASIVACION MEDIANTE AZUFRE DE GE(001), NUESTRAS PRINCIPALES CONCLUSIONES SON QUE MIENTRAS QUE EN LOS PROCESOS LIGADOS A SUPERFICIES DE METALES LA REACTIVIDAD QUIMICA RESIDE EN LA DENSIDAD ELECTRONICA DEL SUSTRATO, EN LOS CASOS DE SUPERFICIES DE SEMICONDUCTORES, LA REACTIVIDAD QUIMICA SE ENCUENTRA EN LOS ENLACES NO SATURADOS DE ESTAS.