EL DESARROLLO DE LAS NUEVAS FUENTES DE ENERGIA CONSTITUYE UNA DE LAS AREAS DE INVESTIGACION MAS ACTIVA Y CAMBIANTE DE NUESTROS DIAS. DENTRO DE ESTE CAMPO HA TOMADO PARTICULAR IMPORTANCIA LA CONVERSION DE ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA DADO QUE ESTOS SISTEMAS CONVIERTEN DIRECTAMENTE LA ENERGIA SOLAR QUE INCIDE SOBRE UN SEMICONDUCTOR EN ENERGIA ELECTRICA.
A PESAR DE ESTA VENTAJA EL USO DE SISTEMAS FOVOLTACIOS ES LIMITADO SIENDO LA RAZON FUNDAMENTAL PARA ESTO EL COSTE TODAVIA ELEVADO DE LOS DISPOSITIVOS.
UNO DE LOS OBJETIVOS DE ESTA MEMORIA ES CONTRIBUIR A LA REDUCCION DEL COSTE DE ESTOS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MEDIANTE LA UTILIZACION DE METODOS ASEQUIBLES TANTO PARA LA PREPARACION DEL MATERIAL FOTOSENSIBLE COMO PARA LA FORMACION DE LA UNION.
EL METODO DE PREPARACION ELEGIDO ES EL ELECTROQUIMICO Y EL CAMPO ELECTRICO SE FORMA EN LA INTERFASE SEMICONDUCTOR/ELECTROLITO AL SUMERGIR EL SEMICONDUCTOR EN UN ELECTROLITO CONVENIENTE.
RESUMIENDO SE PUEDE DECIR QUE EL OBJETIVO DE LA MEMORIA QUE SE PRESENTA ES DESCRIBIR LAS EXPERIENCIAS REALIZADAS EN LA PREPARACION ELECTROQUIMICA DEL N-CDSE Y N-CDSE1-XTEX Y SU CARACTERIZACION MEDIANTE ANALISIS QUIMICO DISFRACCION DE RAYOS X MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO TECNICAS OPTICAS Y METODOS FOTOELECTROQUIMICOS.
A PARTIR DE LOS DATOS OBTENIDOS ON ESTAS TECNICAS SE HACE UN ESTUDIO DE LA EVOLUCION DE LOS PARAMETROS FISICOS QUE DETERMINAN LAS PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS DEL SEMICONDUCTOR COMO SON: LA CONCENTRACION DE PORTADORES MINORITARIOS ND Y LA LONGITUD DE DIFUSION DE ESTOS PORTADORES LP.
FINALMENTE TENIENDO EN CUENTA LOS RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE LA CARACTERIZACION DEL N-CDSE Y N-CDSE1XTEX SE PROCEDE A LA CONSTRUCCION DE UNA CELULA FOTOELECTROQUIMICA UTILIZANDO DOS TIPOS DIFERENTES DE ELECTROLITO: SULFURO-POLISULFURO Y FERRO-FERRICIANURO.
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