Resumen de Semiconductores amorfos. Función de distribución radial de la aleación Al10As20Te70. Modelos de estructura de las aleaciones Al20As50Te30, Al10As40Te50 y Al10As20Te70
Este trabajo viene a completar el estudio estructural de la región de formación de amorfos del sistema Al-As-Te, del que se ha podido observar experimentalmente que presenta el efecto conmutación y exhibe características de cristalización notablemente diferentes en función de la composición.
Después de una síntesis de los conocimientos que actualmente se poseen sobre la formación y estructura de los compuestos amorfos, se expone un resumen de la información que se dispone sobre el comportamiento estructural del sistema Al-As-Te.
En el Capítulo III se explica el método seguido para la obtención de la función de distribución radial y su interpretación y en el IV una breve reseña del sistema experimental.
En el Capítulo V se exponen las diferentes correcciones que se deben introducir en los datos de difracción, así como el método empleado para normalizar las intensidades a unidades electrónicas y el posterior cálculo de la función de la interferencia.
En los Capítulos VI y VII se obtiene, analiza y discute la función de distribución radial de la aleación Al10As20Te70.
En el capítulo siguiente se resumen y comentan las técnicas más utilizadas para la creación de modelos de estructura, haciendo especial hincapié en la técnica de Metrópolis-Montecarlo, por ser la utilizada en este trabajo.
El capítulo IX está dedicado a la construcción de los modelos de estructura de las aleaciones Al20As50Te30, Al10As40Te50 y Al10As20Te70.
En el capítulo X se lleva a cabo un análisis comparativo de los resultados de los distintos modelos y en el XI se encuentran las conclusiones generales de la memoria.
