Crecimiento por mbe, fabricación y caracterización de detectores infrarrojos de pozo cuántico de INGAAS/GAAS
- Autores: Jorge Hernando Garcia
- Directores de la Tesis: José Luis Sánchez de Rojas Aldavero (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 2002
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Enrique Calleja Pardo (presid.), Álvaro Fernández González (secret.), José Manuel García Tijero (voc.), Germán Vergara Ogando (voc.), Jorge Manuel García Martínez (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Esta tesis presenta un estudio del crecimiento por epitaxia de haces moleculares, la fabricación y la caracterización de detectores de infrarrojo de pozo cuántico, utilizando la combinación de materiales InGaAs/GaAs para la detección en la región del espectro infrarrojo de 8 um a 12 um.
El primer capítulo de la tesis resume brevemente algunos aspectos de interés sobre la radiación infrarroja y los diferentes tipos de detectores de infrarrojo, haciendo especial hincapié en los detectores de tipo óptico y en las diferentes clases de detector óptico como, por ejemplo, los detectores de infrarrojo de pozo cuántico (Quantum Well Infared Photodetector, QWIP). El capítulo 2 está dedicado por completo a los detectores de pozo cuántico, explicando sus características de funcionamiento. Este capítulo permite comprender la regla de selección generalmente atribuida a este tipo de detectores: la absorción de radiación que incide normalmente al plano de crecimiento de los pozos está prohibida. Pero también justifica cómo esta regla de selección puede verse relajada bajo determinadas circunstancias y cómo la utilización de detectores formados por pozos de InGaAs, sobre substratos GaAs(100) y GaAs(111)B, puede favorecer la detección en incidencia normal.
De ahí que el resto de la tesis esté dedicado a crecer y caracterizar estructuras QWIP con pozos de InGaAs y barreras de GaAs sobre GaAs(100) y GaAs(111)B, con la finalidad de comprobar sus posibilidades en la detección de radiación en incidencia normal.
En los capítulos 3 y 4 presentamos todo el trabajo que hemos realizado para el crecimiento por epitaxia de haces moleculares de las estructuras QWIP InGaAs/GaAs sobre ambos substratos. El capítulo 3 detalla el procedimiento de crecimiento desarrollado para controlar y reproducir las condiciones de dicho crecimiento. Mientra que en el capítulo 4 recoge los resultados obtenidos, mediante la aplicación del procedimiento
