Realización y caracterización de dispositivos de unión y de efecto de campo en in0.53ga0.47as
- Autores: Nieves Blanco Pestaña
- Directores de la Tesis: Germán González Díaz (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1999
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Enrique Calleja Pardo (presid.), Ignacio Mártil de la Plaza (secret.), J. M. Martín (voc.), Salvador Dueñas Carazo (voc.), Luis Artus Surroca (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Este trabajo de Tesis Doctoral tiene como objetivo la realización y caracterización de determinadas estructuras semiconductoras basadas en la aleación ternaria In0.53Ga0.47As., con la finalidad de aplicarlas satisfactoriamente en el desarrollo de futuros transistores de unión y efecto de campo (JFET y MISFET) en dicho material.
En esta dirección, se ha obtenido un preciso y adecuado control del proceso de implantación de impurezas donoras, y de su posterior activación eléctrica, haciéndose especial hincapié en el fenómeno particular de las activaciones eléctricas mayores del 100%.
Estas capas implantadas han sido aplicadas satisfactoriamente en el desarrollo de uniones PN, en IN0.53Ga0.47As., que han demostrado presentar un adecuado poder rectificante, y de las cuales se ha realizado un riguroso estudio sobre los mecanismos responsables de su conducción.
Por otro lado, se han desarrollado y caracterizado estructuras metal-aislante-semiconductor (A1/SiNx:H/In0.53Ga0.47As) con excelentes propiedad eléctricas, comparables a las obtenidas por otros procedimientos de depósito comparativamente mucho más complejos y costosos. Del estudio realizado en este trabajo se deduce la aplicabilidad de estas estructuras a dispositivos MISFET en In0.53Ga0.47As.
