Crecimiento y caracterización de binarios y heteroestructuras tensadas de semiconductores III-V y su aplicación a dispositivos optoelectrónicos
- Autores: Pedro Huertas Gallardo
- Directores de la Tesis: Fernando Briones Fernández-Pola (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1994
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Pedro Rojo Alaminos (presid.), Francisco Javier Piqueras de Noriega (secret.), Juan Manuel Rodríguez Rodríguez (voc.), Jose Luis De Miguel Anton (voc.), Dolores Golmayo Fernandez (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El trabajo que comprende esta memoria se encuadra dentro de las tecnologías de los semiconductores III-V. Durante la misma se ha estudiado el crecimiento y caracterización de diferentes combinaciones de materiales III-V, para aplicarlos en dispositivos optoelectrónicos. Los sustratos utilizados han sido Si, Ga as e Inp. Hay que destacar el esfuerzo que se ha realizado en este último para conseguir epitaxias de alta calidad, a baja temperatura de sustrato 250 grados-340 grados centígrados (mediante la técnica de epitaxia por haces moleculares de capas atómicas; utilizando fuentes sólidas para todos los elementos. Estos trabajos nos han permitido conseguir emisores de luz entorno a 1.55 m que podrán ser utilizadas en un futuro en sensores integrados monolíticamente en sustratos si.
