La transición metal-aislante en los óxidos rnio3, r=la,nd y sm. Sustitución de cobre y cobalto en la subred de níquel
- Autores: Jorge J. Perez Cacho
- Directores de la Tesis: Joaquin Garcia Ruiz (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Zaragoza ( España ) en 1998
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Ricardo Ibarra M. (presid.), Antonio Monzón Bescós (secret.), José Rivas (voc.), Antonio Alonso José (voc.), Josep Fontcuberta i Griñó (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El estudio de los óxidos de metales de transición RMO3 ha sufrido un fuerte impulso tras el descubrimiento de la superconductividad de alta temperatura en óxidos de cobre o la magnetorresistencia gigante en óxidos de manganeso, compuestos con futuras aplicaciones tecnológicas. El interés científico ha llevado también el estudio de las interacciones, propiedades y estructuras electrónicas desde un punto de vista básico en estos óxidos. Dentro de este marco se encuadra esta memoria.
Se ha estudiado la síntesis y caracterización (propiedades estructurales, de transporte, magnéticas y calorimétricas) de los óxidos RNIO3 y RNi1-xMxO3, con R=La. Nd y Sm, M=Co y Cu. Se han establecido sus diagramas de fase.
Los óxidos RNiO3 cristalizan en estructuras distorsionadas de la perovskita cúbica. Presentan una transición metal-aislante (TMI) en función de la temperatura y del tamaño de la tierra rara. Para R=Nd aparece un orden AF junto a TMI, para R=Sm el orden magnético se produce a un temperatura TN inferior. En la región metálica el gas de electrones presenta una alta correlación, interpretación dada a los valores de Pauli, , entropía de la transición AF y del término T2 de resistividad. Al sustituir níquel por cobre o cobalto, RNi1-xMxO3, aparece un brusco descenso de TMI. Las señales de correlación electrónica también disminuyen al aumentar la sustitución. Se pasa de valores de Pauli 100 en el Ndi0.95Cu0.05O3 a Pauli 7 en el LaNi0.4Cu0.6O3.
Para explicar la TMI se propone la competencia entre la estabilidad aportada por un estado metálico (caracterizado por la anchura de la banda de conducción, W) y el efecto de correlación electrónica que tiende a localizar los portadores (caracterizado por la repulsión intra-atómica de Coulomb, Upd-pd). En resumen, TMI es una transición "tipo Mott". Cuando x 0.3 se ha introducido también el concepto de desorden estructural, apareciendo los umbrales de
