Estudio del comportamiento dinámico y modelado gran señal de dispositivos gaas mesfet para comunicaciones en tecnología monolítica

• Autores: Tomás Fernández Ibáñez
• Directores de la Tesis: Antonio Tazón Puente (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Cantabria ( España ) en 1996
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José Luis García García (presid.), Eduardo Artal Latorre (secret.), Félix Pérez Martínez (voc.), Pedro Jose Carlos Esteves Duarte (voc.), Lluis Pradell Cara (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología de las telecomunicaciones
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• Resumen

  • EN LA TESIS SE PRESENTA UN NUEVO MODELO GRAN SEÑAL PARA GAAS MESFET FACILMENTE IMPLEMENTABLE EN SIMULADORES NO LINEALES COMERCIALES COMO MDS, ETC. SE HA LLEVADO A CABO EL DISEÑO E IMPLEMENTACION DE LOS SISTEMAS DE MEDIDA NECESARIOS PARA CARACTERIZARLOS DISPOSITIVOS EN LOS DISTINTOS REGIMENES DE FUNCIONAMIENTO. COMO NOVEDAD INTRODUCIDA EN EL TRABAJO PRESENTADO DECIR QUE A PARTIR DE MEDIDAS PULSADAS EN PUNTOS DE POLARIZACION FRIOS Y CALIENTES SE OBTIENE UN MODELO DE TRANSISTOR CAPAZ DE REPRODUCIR EL COMPORTAMIENTO DEL DISPOSITIVO EN REGIMEN DC, PULSADO Y RF PEQUEÑA Y GRAN SEÑAL, DANDO CUENTA DE LOS EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN QUE TIENEN LUGAR DENTRO DEL TRANSISTOR, COMO SON LA DISPERSION FRECUENCIAL, LA DEBIDA AL PUNTO DE POLARIZACION Y LA TEMPERATURA. COMO VALIDACION DE LA NUEVA VIA DE MODELADO PRESENTADO SE REALIZAN COMPARACIONES ENTRE RESULTADOS EXPERIMENTALES Y SIMULACIONES LLEVADAS A CABO SOBRE EL SIMULADOR NO LINEAL MDS EN LAS QUE SE APRECIA, PARA DISTINTOS DISPOSITIVOS Y DISTINTAS TECNOLOGIAS, COMO EL MODELO RESPONDE A LOS DISTINTOS REGIMENES DE FUNCIONAMIENTO ANTERIORMENTE MENCIONADOS.