Resumen de Análisis de la movilidad electrónica y su influencia en la caracterización de dispositivos mesfet/hemt de asga de microondas
En esta tesis se presenta un nuevo método de medida de la movilidad electrónica a efectos de mejorar el modelado de dispositivos de AsGa. El método propuesto utiliza las derivadas de orden superior como medio de determinar los parámetros de la nueva ecuación de movilidad.
Se presentan comparaciones del nuevo método con otros métodos de medida mostrando las ventajas del metodo propuesto. Los resultados obtenidos permiten caracterizar la movilidad en la zona lineal y de saturación.
Los valores de movilidad extraídos por este método nuevo han permitido mejoras en el modelado de dispositivos MESFET/HEMT fundamentalmente en la zona lineal, lo cual es de gran utilidad especialmente para aplicaciones basadas en mezcladores lineales.
