En esta tesis se aborda el control de la distorsion de intermodulación pequeña señal sobre dispositivos MESFETs y HEMTs de AsGa. La extensión de los procedimientos de caracterización en derivadas de las no linealidades presentes en su esquema equivalente sirve de punto de partida a tal proposito.
Se explican asi por vez primera el papel de la no linealidad reactiva en la region de saturacion, y el de la fuente de corriente en la region lineal.
Los resultados de caracterización se extienden entonces al estudio y elaboracion de modelos globales con prestaciones elevadas en la predicción de dichos fenomenos en cualquier punto de operación, para intentar finalmente optimizar el funcionamiento de algunas aplicaciones muy significativas: amplificadores y mezcladores.
La aproximacion que se propone al control de los fenomenos de ditorsion ha implicado tanto el desarrollo de esquemas experimentales complejos y muy particulares, como la adaptación de las potencialidades de las Series de Volterra para una conservante analisis no lineal ante las excitaciones digitales que tanto interesan hoy en dia.
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