Characterization of compous semicompuctors by optical emission and positron annhilation spectroscopy, zno y gate

• Autores: Asier Zubiaga Monsalve
• Directores de la Tesis: José Ángel García Martínez (dir. tes.), Fernando Plazaola Muguruza (codir. tes.)
• Lectura: En la Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea ( España ) en 2006
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Miguel Ángel Pérez Jubindo (presid.), Vicente Muñoz Sanjosé (secret.), María Carmen Martínez-Tomás (voc.), Francisco Javier Piqueras de Noriega (voc.), Filip Tijo Misto (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Interacción de la radiación con los sólidos
      • Luminiscencia
      • Propiedades ópticas
      • Semiconductores
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• Resumen

  • Para muchas aplicaciones de interés tecnológico (por ejemplo LEDs, láseres, sensores de radiación ..) es muy importante la calidad del material. En esta memoria se han estudiado dos compuestos semiconductores de gran importancia tecnológica: el ZnO y el GaTe. Para la caracterización de los mismos se han utilizado, fundamentalmente, dos técnicas espectroscópicas: la fotoluminiscencia y la aniquilación de positrones.

    El objetivo ha sido el análisis, identificación y adscripción de los defectos existentes y así abrir nuevas vías para la mejora de la calidad de los materiales y por tanto la mejora en sus potencialidades en aplicaciones de interés tecnológico.