El objetivo de este trabajo es la construcción de un modelo térmico, tanto estático como dinámico, pensado fundamentalmente para su aplicación a los dispositivos semiconductores encapsulados.
El modelo se basa en el concepto de resistencia térmica y de ángulo de dispersión del flujo de calor, haciendo este último variable con las dimensiones del sistema y sus condiciones de contorno, con lo que se consigue no solo una mejor aproximación cuantitativa sino también que el modelo siga siendo válido para cualesquiera dimensiones y condiciones de contorno, así como para sustratos multicapa, condición por otra parte imprescindible para el correcto análisis de los encapsulados habituales, especialmente en el ámbito de la electrónica de potencia.
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