Caracterización óptica de estructuras cuanticas semiconducturas lngap/gaas e lnas/gaas para zonas activas de diodos laser

• Autores: Carlos Rudamas Flores
• Directores de la Tesis: Juan Pascual Martínez Pastor (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat de València ( España ) en 2002
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Alfredo Segura García del Río (presid.), José Luis Valdés Navarro (secret.), Luisa González Sotos (voc.), Philippe Rovssignol (voc.), Luis Víña Liste (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Estados electrónicos
      • Luminiscencia
      • Propiedades ópticas
      • Semiconductores
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• Resumen

  • En este trabajo de investigación se recoge el estudio de las propiedades ópticas de pozos cuanticos IngaP/GaAs y de cajas cuanticas InAs/GaAs, a través de resultados experimentales mediante técnicas de fotoluminiscencia resonante y no resonante, fotolmuniscencia de excitación y fotolmuniscencia resuelta en tiempo. Estos resultados, apoyados por varios modelos teóricos, han permitido obtener conclusiones importantes sobre las transiciones ópticas fundamentales, interacción exciton-fonon, desalineamiento de bandas y localización excitonica en defectos de la aleación en el sistema IngaP/GaAs, así como en las propiedades ópticas de conjunto y relajación de energía en el sistema InAs/gaAs.