Estudio del inse dopado con silicio (fotoluminiscencia efecto hall y espectroscopia de niveles profundos)
- Autores: Jaime Riera Guasp
- Lectura: En la Universitat de València ( España ) en 1990
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Ramon Vilaseca Alavedra (presid.), Vicente Muñoz Sanjosé (secret.), José Luis Marín Galan (voc.), Francisco Pomer Murgui (voc.), Ramiro Pareja Pareja (voc.)
- Materias:
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- Resumen
SE HAN CARACTERIZADO MUESTRAS DE INSE DOPADAS CON SI AL 0'1% Y 1%. LOS ESPECTROS DE FOTOLUMINISCENCIA OBTENIDOS, HAN SIDO INTERPRETADOS EN BASE A LA TEORIA TRIDIMENSIONAL DE LAS TRANSICIONES EXCITONICAS PERMITIDAS DE ELLIOT, DEDUCIENDOSE UN COMPORTAMIENTO EXCITONICO DE LAS MUESTRAS FRENTE A LAS PROPIEDADES OPTICAS.
A PARTIR DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE, SE HA DEDUCIDO LA EXISTENCIA DE UN NIVEL HIDROGENOIDE AJUSTANDOSE A LAS CUÑAS EXPERIMENTALES SEGUN UN MODELO QUE TIENE EN CUENTA LA APORTACION A LA CONDUCCION DE LOS ELECTRONES TRIDIMENSIONALES Y BIDIMENSIONALES. LOS ELEVADOS VALORES DE LA ANISOTROPIA SE HAN JUSTIFICADO POR LA EXISTENCIA DE POTENCIALES ALTAMENTE IMPERMEABLES AL PASO DE LOS ELECTRONES LIGADOS A LA EXISTENCIA DE DEFECTOS DE APILAMIENTO.
LAS TECNICAS DLTS NOS HAN PERMITIDO OBTENER UN TRANSITORIO DE CAPACIDAD QUE HEMOS ASOCIADO A UN NIVEL PROFUNDO DE 268 MEV DE ENERGIA DE ACTIVACION.
