Resumen de Nivells d'impuresa en l'infe dopat amb estany. Estudi per efecte hall i espectroscopia de transitoris de nivells profunds (dlts)
S'HAN ESTUDIAT LES PROPIETATS DE TRANSPORT I ELS NIVELLS D'IMPURESA DE L'INSE DOPAT AMB ESTANY. LA DEPENDENCIA DE LA CONCENTRACIO DE PORTADORS I DE LA MOBILITAT AMB LA TEMPERATURA S'HA INTERPRETAT AMB UN MODEL DADOR SENZILL-ACCEPTOR SENZILL ON EL NIVELL HIDROGENOIDE ASSOCIAT A L'ESTANY TE UNA ENERGIA DE 22 MEV I LA RELACIO DE COMPENSACIO ES ENTORN DEL 20%. EL MODEL INCLOU L'EXISTENCIA DE SUBBANDES ELECTRIQUES BIDIMENSIONALS SITUADES PER SOTA DEL NIVELL DE L'ESTANY, ON HI HA ELECTRONS BIDIMENSIONALS PER EXPLICAR EL COMPORTAMENT DEGENERAT DE LA CONCENTRACIO A BAIXA TEMPERATURA. S'HA FET ESPECTROSCOPIA DE TRANSITORIS DE CAPACITAT SOBRE DIODES INSE (SN)/AN. DELS TRANSITORIS D'EMISSIO S'HAN DETECTAT TRES NIVELLS ASSOCIATS A L'ESTANY AMB ENERGIES DE 56, 74 I 110 MEV. DELS TRANSITORIS DE CAPTURA S'HA OBTINGUT LA SECCIO EFICAC DE CAPTURA PER A TOTS TRES NIVELLS RESULTANT UNA D'ELLES ACTIVADA AMB LA TEMPERATURA (EO = 35 MEV) I LES ALTRES DUES GAIREBE CONSTANTS. A PARTIR DE L'EXISTENCIA DE SUBBANDES BIDIMENSIONALS S'HA INTERPRETAT EL FET QUE A L'INSE ES PUGUEN OBSERVAR TRANSITORIS DE CAPACITAT DEL NIVELL HIDROGENOIDE DE L'ESTANY. L'ACTIVACIO DE LA SECCIO EFICAC D'AQUEST NIVELL DONA SUPORT A LA HIPOTESI QUE LES SUBBANDES 2D SON FORMADES PER DISCONTINUITATS EN LA BANDA DE CONDUCCIO DEGUDES A L'EXISTENCIA DELS POLITIPUS 6 I E AMB GAPS LLEUGERAMENT DIFERENTS.
