Aportaciones al diseño de memorias rom en tecnologias gaas

• Autores: Jose Francisco López Feliciano
• Directores de la Tesis: Antonio Núñez Ordóñez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de Las Palmas de Gran Canaria ( España ) en 1995
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Joan Figueras Pamies (presid.), Antonio Hernández Ballester (secret.), Kamran Eshraghian (voc.), José María Quintana Toledo (voc.), Jordi Aguiló Llobet (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Diseño de circuitos
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• Resumen

  • A partir de la llegada, a principios de los años 60s, de los circuitos integrados monoliticos en silicio, ha habido un constante trabajo dirigido hacia la consecucion de circuitos con mayor frecuencia de funcionamiento y mayor complejidad. Sin embargo, fue a partir de los años 70s, y definitivamente despues de 1974, cuando los compuestos iii-v, y mas particularmente el arseniuro de galio (gaas), mostraron que eran posibles producciones de circuitos integrados con mejores prestaciones que sus analogos en silicio. En el caso particular de memorias digitales, el parametro velocidad es de vital importancia teniendo en cuenta que el exito de un computador de altas prestaciones depende en gran medida de la rapidez con que los datos son obtenidos o enviados a la memoria. El objetivo principal de esta tesis es el aportar soluciones a los problemas principales con los que nos encontramos en tecnologia gaas a la hora de implementar la matriz de programacion de memorias rom con capacidad de almacenamiento suficiente como para ser incorporadas a sistemas de alta velocidad. Basicamente, esta capacidad viene fuertemente influenciada por las corrientes de fuga producidas en los dispositivo mesfets, entre 5 y 6 veces superiores que en los mosfets, sus bajos margenes de ruido y su variacion con la temperatura. Estos tres parametros se hallan intimamente relacionados con el aumento de la capacidad de almacenamiento en el sentido de que para producir un incremento de la misma, es necesario implementar puertas logicas de alto fan-in, lo cual hace aumentar de forma proporcional las corrientes de fuga, influenciadas a su vez por la temperatura. Como resultado se produce una degradacion de los niveles logicos que puede producir malfuncionamiento en nuestra memoria. Proponemos dos metodos para solventar estos problemas: uno basado en una nueva estrategia de dimensionado, la cual "suaviza" la degradacion de los niveles logicos; el otro, basado