Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación ionica y tratamientos térmicos rápidos (RTA)

• Autores: Jose Angel Lopez Rubio
• Directores de la Tesis: Jesus Sangrador Garcia (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1995
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José María Ruiz Pérez (presid.), Fernando González Sanz (secret.), Germán González Díaz (voc.), Carlos Algora del Valle (voc.), Ernesto Diéguez (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos fotoeléctricos
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • Esta tesis doctoral trata del desarrollo de una tecnología de dopado tipo N sobre cristales tipo P de HGL-xcdte (telururo de cadmio y mercurio) mediante el uso de técnicas de implantación ionica y recocidos térmicos rápidos. En primer lugar, se ha realizado un estudio de los efectos de los recocidos RTA sobre las propiedades eléctricas de los substratos de partida sin implantar. Seguidamente se ha caracterizado el efecto de los ciclos RTA sobre capas implantadas de in y b. Se ha desarrollado un proceso RTA postimplantacion que elimina el daño de implantación y permite la activación eléctrica de las especies implantados.