Contribución al estudio por espectroscopia raman de la deformación y los altos dopajes en Ingaas epitaxial
- Autores: Ángel Luis Álvarez Castillo
- Directores de la Tesis: Fernando Calle Gómez (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1997
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Enrique Calleja Pardo (presid.), Luis Viña (secret.), José Manuel Calleja Pardo (voc.), Alfredo Sanz Hervás (voc.), Luisa González Sotos (voc.)
- Materias:
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- Resumen
La presente tesis doctoral afronta el estudio de dos problemas que se enmarcan en las fases iniciales de crecimiento y desarrollo de dispositivos integrados basados en heteroestructuras de ingaas/gaas: la rugosidad superficial que aparece durante el crecimiento epitaxial, y la problematica de obtener altas concentraciones de portadores libres mediante dopaje con si, be y c en ingaas.En el primer caso, se ha analizado la fenomenologia del proceso de arrugamiento, los distintos factores que lo propician -con especial atencion a los que operan en condiciones de crecimiento estandar- y se han determinado condiciones de crecimiento optimizadas para minimizar el relieve rugoso.En el segundo caso, se ha estudiado la influencia del contenido de in en la incorporacion de los distintos dopantes. Para ello se han analizado los modos locales de vibracion de los principales sustitucionales mediante distintas tecnicas de espectroscopia (raman y absorcion de infrarrojos por t de fourier). Como resultado se han dado las razones a escala microscopica de los diversos comportamientos de estos dopantes en la red cristalina ingaas.
