EL OBJETIVO DEL TRABAJO HA CONSISTIDO EN LA OBTENCION DE FOTODIODOS DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO CON ESTRUCTURA P-I-N, A PARTIR DEL DEPOSITO QUIMICO EN FASE VAPOR ASISTIDO POR PLASMA. EL TRABAJO PUEDE DIVIDIRSE EN DOS PARTES:
A) OPTIMIZACION DE LOS PARAMETROS TECNOLOGICOS DE OBTENCION DE LAS CAPAS DOPADAS TIPO P (OBTENIDAS A PARTIR DE LA UTILIZACION DE DIBORANO Y/O TRIMETILBORO) Y TIPO N (A PARTIR DE FOSFINA).
B) OBTENCION DE LOS FOTODIODOS, UTILIZANDO CAPAS DOPADAS OPTIMIZADAS. LOS RESULTADOS PUEDEN RESUMIRSE EN:
-SE HAN OBTENIDO FOTODIODOS CON MUY BUEN CARACTER RECTIFICADOR, CON CORRIENTES EN INVERSO (V=-2V) INFERIORES A 10-10 A/CM2, CON BUENA RESPUESTA ESPECTRAL Y MUY BUENA LINEALIDAD ENTRE LA INTENSIDAD FOTOGENERADA Y LA IRRADIACION. ESTOS RESULTADOS SE ENCUENTRAN ENTRE LOS MEJORES REPORTADOS, Y PERMITIRIAN LA CONSTRUCCION DE SENSORES DE IMAGEN CON MUY BUENAS PRESTACIONES.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados