Influence of the silicide material properties on the photodetection mechanism of schottky barrier infrarwd detectors
- Autores: Elisenda Roca Moreno
- Lectura: En la Universitat de Barcelona ( España ) en 1995
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Albert Cornet i Calveras (presid.), Alejandro Pérez Rodríguez (secret.), Robert Mertens (voc.), Luis Castañer Muñoz (voc.), Tomas Rodríguez Rodriguez (voc.)
- Materias:
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- Resumen
LOS DIODOS SCHOTTKY PROCESADOS CON SILICIUROS SE UTILIZAN COMO DETECTORES DE INFRARROJO EN EL RANGO DE 1-10 MICRAS DEBIDO PRINCIPALMENTE A SU COMPATIBILIDAD CON LAS TECNOLOGIAS DE SI VLSI. LOS DETECTORES MAS DESARROLLADOS SON LOS DIODOS DE PTSI/P-SI, QUE PRESENTAN UNA LONGITUD DE ONDA DE CORTE DE 6 MICRAS. RECIENTEMENTE SE HA PROPUESTO EL USO DE COSI2 EN EL RANGO DE 1-3 MICRAS. ESTE TRABAJO ES EL RESULTADO DE LA CARACTERIZACION ELECTRICA Y ELECTROOPTICA DE DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY PROCESADOS CON PTSI POLICRISTALINO Y COSI2 + POLICRISTALINO Y EPITAXIAL EN SI TIPO P.
LA CARACTERIZACION ELECTRICA DE LOS DISPOSITIVOS PERMITE DETERMINAR LA ALTURA DE LA BARRERA SCHOTTKY. LOS VALORES OBTENIDOS MUESTRAN UN BUEN ACUERDO CON LOS RESULTADOS PUBLICADOS EN LA LITERATURA.
LA CARACTERIZACION ELECTROOPTICA CONSISTE EN LA REALIZACION DE MEDIDAS DE LA EFICIENCIA CUANTICA ABSOLUTA A DIFERENTES LONGITUDES DE ONDA, Y DE MEDIDAS DE LA RESPUESTA ESPECTRAL RELATIVA PARA DETERMINAR LA LONGITUD DE ONDA DE CORTE.
LOS RESULTADOS MUESTRAN QUE LA EFICIENCIA CUANTICA DE LOS DIODOS DE PTSI ES MAYOR QUE LA DE LOS DIODOS DE COSI2.
ADEMAS SE OBSERVA QUE DIODOS CON CAPAS GRUESAS DE COSI2 POLICRISTALINO PRESENTAN UNA MAYOR EFICIENCIA CUANTICA QUE LOS DIODOS DE COSI2 EPITAXIAL. LA MAYOR EFICIENCIA CUANTICA DE LOS DIODOS DE PTSI FRENTE A LOS DIODOS DE COSI2 SE DEBE A LA MAYOR ABSORCION DE LA LUZ EN LAS CAPAS DE PTSI. PARA CAPAS GRUESAS DE SILICIURO, LA MAYOR EFICIENCIA CUANTICA DE LOS DIODOS DE COSI2 POLICRISTALINO FRENTE A LOS DIODOS EPITAXIALES SE DEBE A LAS COLISIONES DE LOS PORTADORES EXCITADOS EN LAS BARRERAS DE GRANO DEL SILICIURO POLICRISTALINO.
