Estudio de transistores bipolares en bajas corrientes: física y tecnología

• Autores: Carlos Gonzalez Bris
• Directores de la Tesis: Elías Muñoz Merino (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1983
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Serra Mestres (presid.), Tomas Rodríguez Rodriguez (voc.), Gabriel Sala Pano (voc.), Carlos Dehesa Martínez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Se estudia el comportamiento de transistores bipolares en bajas corrientes caracterizando el comportamiento eléctrico de la componente no ideal con el fin de determinar el origen físico del mismo. Se revisa el modelo clásico del transistor y los modelos de bajas corrientes. Posteriormente se presentan los resultados experimentales. La discrepancia observada entre predicciones y resultados conduce a considerar un modelo diferente. Este modelo basado en la presencia de preciditados metálicos en la unión se desarrolla y permite explicar los datos obtenidos experimentalmente.