Estudio de transistores de capa fina de polisilicio fabricados a baja temperatura

• Autores: Ángel Rodríguez Martínez
• Lectura: En la Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) ( España ) en 1992
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Luis Castañer Muñoz (presid.), Ramon Alcubilla González (secret.), Joan Ramon Morante i Lleonart (voc.), Lluis Torner Sabata (voc.), José Millán Gómez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • Se han diseñado y fabricado transistores de capa fina (tft) de polisilicio de canal n, con el fin de utilizarlos en la construccion de pantallas planas de cristal liquido (lcd). El substrato aislante debe ser transparente y de gran area, por lo que el material empleado es vidrio. Este material limita la maxima temperatura de los procesos de fabricacion a 630 grados c. Se han diseñado los procesos de fabricacion compatibles con esa temperatura y con la produccion industrial: obtencion de la capa activa de polisilicio, obtencion de aislante de puerta por deposicion quimica a partir de precursores organicos, pasivacion de las fronteras de grano del polisilicio con hidrogeno y posterior sinterizacion, obtencion de los contactos de fuente y drenador por deposicion quimica. Los procesos y dispositivos han sido caracterizados, tanto fisica como electricamente, y como resultado mas interesante cabe resaltar que se han obtenido movilidades efectivas en el canal de hasta 72 cm cuadrados/vs. Se ha estudiado con profundidad la corriente de corte de estos transistores con el fin de reducirla. Esta corriente limita el maximo numero de puntos (pixela) que puede llevar un panel. Los mecanismos de generacion basicos mencionados en la literatura no pueden por si solos, explicar esta corriente. Se han construido dos teorias originales para explicarla: la primera es la actuacion simultanea de la generacion termica y tunel y la segunda la generacion por saltos de electrones entre defectos en las fronteras de grano de polisicio (hoping) que estan muy proximos.