EN ESTE TRABAJO SE ESTUDIAN LAS CORRIENTES DE FUGAS EXISTENTES ENTRE LOS DISPOSITIVOS MESFET VECINOS EN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE GAAS Y EL EFECTO QUE SOBRE ESTAS CORRIENTES TIENEN LOS DIFERENTES TRATAMIENTOS SUPERFICIALES A LOS QUE SE SOMETEN. SE HA LLEVADO A TERMINO UNA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL Y ELECTRICA DE LAS MUESTRAS.
SE HA ELABORADO UN MODELO BASADO EN LA CONSIDERACION DE PROCESOS DE GENERACION-RECOMBINACION NO-LINEALES (IONIZACION POR IMPACTO DE LAS IMPUREZAS PRESENTES EN EL MATERIAL).
SE HA DERIVADO UN MODELO SIMPLIFICADO QUE PERMITE LA OBTENCION DE EXPRESIONES ANALITICAS PARA LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS.
EL CONJUNTO DEL ESTUDIO NOS HA PERMITIDO CONCLUIR QUE EL PROCESO DE PASIVACION OPTIMO SERIA AQUEL QUE ELIMINANDO EL OXIDO NATIVO, NO INTRODUCE PERTURBACIONES CONSIDERABLES EN LA ZONA MAS CERCANA A LA SUPERFICIE DEL MATERIAL.
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