Estructuras de pozo cuántico y su aplicación para transistores pseudomórficos Fet de Inxga1-Xas/Gaas

• Autores: Fernando González Sanz
• Directores de la Tesis: Elías Muñoz Merino (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 1991
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Enrique Calleja Pardo (presid.), Carlos Gonzalez Bris (secret.), José Antonio Martín Pereda (voc.), Carlos Tejedor de Paz (voc.), Luis Víña Liste (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
      • Transistores
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Estudio de la teoría básica de crecimiento de capas epitaxiales bajo deformación. Determinación del espesor de la capa crítica y método de cálculo de la misma en función del sustrato y la estructura utilizada. Se centró en el sistema Ingaas/Gaas. Estudio de la estructura de bandas en pozos cuánticos sometidos a deformación, incluyendo los Offsets en las bandas de Valencia y conducción y el desdoblamiento de las bandas de huecos ligeros y pesados. Diseño de estructuras de pozo cuántico que permitan el estudio experimental de los anteriores puntos. Dichas muestras han sido crecidas por MBE y caracterizadas por procedimientos ópticos y eléctricos.