Se ha realizado un estudio de la dinámica de red de los semiconductores GaInZ2 ordenados tipo Cupt a partir del modelo BCM, sin parámetros ajsutables.
Los parámetros se han tomado directamente de los compuestos binarios, se han escalado de acuerdo con la variación de la longitud de los enlaces en los ternarios ordenados.En el centro de zona de la estructura CuPt, distinguimos dos tipos de modos de vibración:
A- Modos que muestran una gran rotura LO-TO y poca dipsersión causada por el campo cristalino. Estos modos están relacionados con aquellos del centro de zona de los constituyentes binarios zincblenda y dan lugar a una fuerte respuesta en el infrarrojo aunque débilmente anisotrópica.
B- Modos mostrando grandes efectos debidos al campo cristalino y débil dispersión angular causada por las fuerzas electrostáticas. Estan asociados con los modos del borde de zona de los constituyentes binarios y dan lugar a una respuesta infrarroja débil aunque fuertemente anisotrópica. El cálculo permite asignar lso tres modos que aprecen en el espectro Raman con modos del tipo (b).
Los modos a 208 cm-1 y 354 cm-1 corresponden al doblamiento de los modos L-acústicos y L-ópticos respectivametne y poseen un desplazamiento paralelo a la dirección de orden independiente de la dirección de q. El modo a 62 cm-1 corresponde al doblamiento del modo transversal acústico y posee un desplazamiento en el plano de orden. El modelo permite explicar y predecir los efectos de anisotropía en la respuesta ifrarroja de estos materiales.
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