Resumen de Crecimiento, caracterizacion y propiedades opticas de los sistemas cuin x ga 1-x se 2 y cuin x al 1-x se 2
fueron preparados por fusión directa de la mezcla estequiométrica de los elementos en capsulas de cuarzo al vacio. La composición de los lingotes se verificó por espectroscopía atómica de emisión llevada a cabo sobre muestras disueltas en ácido nítrico. El análisis de la difracción de rayos X (XRD) en polvo mostró la presencia de la estructura tetragonal de la calcopirita a temperatura ambiente. Los parámetros de red a, c y c/a, la coordenada fraccional del anión x, las longitudes de enlace y todos los parámetros que definen el perfil de difracción fueron obtenidos para cada composición por refinamiento Rietveld de la estructura. Las temperaturas de equilibrio entre fases se obtuvieron de medidas de análisis térmico diferencial (DTA) y se contruyó la sección vertical T(x) de cada sistema de aleaciones. Los calores de transformación. Medidas elipsométricas y de transmitancia permitieron determinar las partes real e imaginaria del índice de refracción complejo N(hv), las partes real e imaginaria de la función dieléctrica compleja e(hv), el coeficiente de absorción x(hv) y la relectividad R(hv). El valor del gap de energía Eg para cada composición se obtuvo a partir de la gráfica de (xhv)2vs. hv para un semiconductor de gap directo y, alternativamente, ajustando a curvas analíticas con puntos críticos el espectro de la segunda derivada d2e(hv)/ d(hv)2 obtenido numéricamente de los datos experimentales e(hv). Los valores de la constante dieléctrica de alta frecuencia E para cada composición se determinaron ajustando el índice de refracción real n con la formula de dispersión de Sellmeier.
