Resumen de Contribucion al estudio por espectroscopia infrarroja de capas delgadas de sic y bn
En resumen, se han estudiado y caracterizado varias capas delgadas de SiC y BN por espectroscopia infrarroja que es una técnica no destructiva, potente, sencilla y que nos permite obtener información sobre los efectos intrínsecos y extrínsecos del material.
Por lo que se refiere al SiC, se han estudiado capas estequiometricas depositadas por MBE a partir de fuente sólida o gaseosa y capas depositadas por CVD a baja presión utilizando el precursor organometálico (Si(CH3)4) y se ha establecido una correlación entre las características de las capas y las condiciones de depósito. Se ha mostrado también a partir de los espectros de RIR, la posibilidad de depositar este material con buena calidad cristalina a temperaturas más bajas lo que abarata su coste. También se han estudiado capas de SiC no estequiometricas de SiC y se ha determinado la relación entre la composición x en las capas y el índice de refracción de estas mismas.
Finalmente nos hemos extendido al estudio de capas de h-BN y hemos determinado la orientación del eje principal c realizando medidas con luz polarizada. También se ha explicado el fenómeno de inversión de los modos LO y TO tanto en el caso de h-BN/Si como en el caso de h-BN/NiCr y se ha asociado al ángulo de Brewster.
